Формирование пленок SIOC реактивным ионно-лучевым распылением

Дуксин, М. В.

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Дуксин, М. В.	-
dc.date.accessioned	2018-09-06T12:22:12Z	-
dc.date.available	2018-09-06T12:22:12Z	-
dc.date.issued	2018	-
dc.identifier.citation	Дуксин, М. В. Формирование пленок SIOC реактивным ионно-лучевым распылением / М. В. Дуксин // Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем: сборник тезисов 54 научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 23–27 апреля 2018 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; отв. ред. Раднёнок А. Л. – Минск, 2018. – С. 139 - 140.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32840	-
dc.description.abstract	Исследованы процессы взаимодействия ионных пучков аргона и диоксида углерода с мишенями из диоксида кремния. Плёнки формировались на подложках из кремния. Температура подложки не превышала 343 К. Компенсация положительного заряда на мишени из диоксида кремния осуществлялась термоэлектронами. Установлено, что скорость нанесения монотонно снижается с ростом содержания диоксида углерода в рабочем газе. Установлено, при распылении мишени из диоксида кремния минимальное значение тангенса диэлектрических потерь было достигнуто при давлении диоксида углерода 1,0610–2 Па. Увеличение парциального давления CО2 до 1,110–2 Па привело к росту электрического сопротивления пленок. Однако дальнейший рост давления диоксида углерода способствовал резкому снижению удельного объемного сопротивления.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	БГУИР	ru_RU
dc.subject	материалы конференций	ru_RU
dc.subject	реактивное ионно-лучевое распыление	ru_RU
dc.subject	пленки SIOC	ru_RU
dc.title	Формирование пленок SIOC реактивным ионно-лучевым распылением	ru_RU
dc.type	Статья	ru_RU
Appears in Collections:	Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 54-ой научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2018)