Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32948
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПрокофьев, С. С.-
dc.date.accessioned2018-09-18T06:16:24Z-
dc.date.available2018-09-18T06:16:24Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationПрокофьев, С. С. Особенности процессов плазмохимической обработки материалов в проточных туннельных реакторах при низком вакууме / С. С. Прокофьев // Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем: сборник тезисов 54-ой научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 23–27 апреля 2018 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; отв. ред. Раднёнок А. Л. – Минск, 2018. – С. 170 - 171.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32948-
dc.description.abstractОбработка поверхности твердотельных структур с помощью низкотемпературной неравновесной плазмы представляет собой сложный комплекс физикохимических процессов образования активных частиц в результате внешнего энергетического воздействия на рабочую газообразную среду и взаимодействия этих частиц между собой, с обрабатываемой поверхностью и стенками, ограничивающими разрядное пространство.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectплазмохимическая обработка материаловru_RU
dc.subjectпроточные туннельные реакторыru_RU
dc.subjectнизкий вакуумru_RU
dc.titleОсобенности процессов плазмохимической обработки материалов в проточных туннельных реакторах при низком вакуумеru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 54-ой научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2018)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Prokofyev_Osobennosti.pdf412.12 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.