| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Солодуха, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Горушко, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-12-19T07:48:44Z | - |
| dc.date.available | 2018-12-19T07:48:44Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Солодуха, В. А. Режимы быстрой термообработки системы Рt-Si для формирования силицида платины / В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко // Доклады БГУИР. - 2018. - № 8 (118). - С. 88 - 92. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33924 | - |
| dc.description.abstract | Проведена оценка допустимой неравномерности облучения и разброса температуры
по площади пластины при быстрой термической обработке, не вызывающих в ней возникновения
термических напряжений, приводящих к пластическому течению или разрушению кремния. Показано,
что формирование силицида платины при Т ≤ 810 °С не вызывает отрицательных явлений в кремнии
и его необходимо проводить в среде азота, напуск которого в герметичную камеру осуществляется после
создания в ней вакуума 10–2 мм рт. ст. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | интегральная микросхема | ru_RU |
| dc.subject | быстрая термообработка | ru_RU |
| dc.subject | силицид платины | ru_RU |
| dc.subject | термические напряжения | ru_RU |
| dc.subject | intergrated circuit | ru_RU |
| dc.subject | rapid thermal treatment | ru_RU |
| dc.subject | platinum silicide | ru_RU |
| dc.subject | thermal stresses | ru_RU |
| dc.title | Режимы быстрой термообработки системы Рt-Si для формирования силицида платины | ru_RU |
| dc.title.alternative | Rapid thermal treatment modes of the Рt-Si system for formation of platinum silicide | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Assessment is performed of the permissible nonuniformity of irradiation and temperature scatter
as per the wafer area during the rapid thermal treatment, not causing the thermal stresses in it, resultant in the
plastic melting or silicon disruption. It was shown, that formation of platinum silicide at Т ≤ 810 °С does not
cause the negative phenomena in silicon, and it should be performed in the nitrogen environment, whose
flooding into the the sealed chamber is done after creation in it of vacuum of 10–2 mm, mercury column. | - |
| Appears in Collections: | №8 (118)
|
