DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Солодуха, В. А. | - |
dc.contributor.author | Шведов, С. В. | - |
dc.contributor.author | Чигирь, Г. Г. | - |
dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | - |
dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | - |
dc.contributor.author | Петлицкая, Т. В. | - |
dc.contributor.author | Филипеня, В. А. | - |
dc.contributor.author | Солодуха, В. А. | - |
dc.date.accessioned | 2019-01-30T13:58:37Z | - |
dc.date.available | 2019-01-30T13:58:37Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Оперативный анализ загрязнений кремниевых пластин рекомбинационно-активными примесями в производстве интегральных микросхем / В. А. Солодуха [и др.] // Современные информационные и электронные технологии: сборник трудов 19-ой Международной научно-практической конференции (СИЭТ-2018), Одесса, 28 мая - 01 июня 2018 г. - Одесса, 2018. - С. 83 - 84. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34334 | - |
dc.description.abstract | Предложен доступный, оперативный анализ наличия загрязнений кремниевых пластин рекомбинационно-активными примесями по измерению величины токов утечки обратносмещенных р-п переходов. Установлены критерии забракования по допустимым уровням загрязнения. Для проведения анализа не требуется дорогостоящее специализированное оборудование (масспектрометры). Анализ эффективен при проведении оперативной аттестации оборудования для проведения высокотемпературных операций. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Издательский центр «Политехпериодика» | ru_RU |
dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | кремниевая пластина | ru_RU |
dc.subject | рекомбинационно-активные примеси | ru_RU |
dc.subject | токи утечки | ru_RU |
dc.title | Оперативный анализ загрязнений кремниевых пластин рекомбинационно-активными примесями в производстве интегральных микросхем | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|