https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34993| Title: | Особенности вертикального масштабирования при создании биполярных микросхем |
| Other Titles: | Peculiarities of vertical scaling when creating bipolar microcircuits |
| Authors: | Пилипенко, В. А. Понарядов, В. В. Горушко, В. А. Шведов, В. С. Сякерский, В. С. Петлицкая, Т. В. |
| Keywords: | доклады БГУИР;быстрая термообработка;диэлектрик |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Особенности вертикального масштабирования при создании биполярных микросхем / В. А. Пилипенко [и др.] // Доклады БГУИР. - 2010. - № 4 (50). - С. 31 - 36. |
| Abstract: | Показано, что использование быстрых термических обработок в технологическом процессе создания интегральных микросхем позволяет формировать мелкозалегающие p-n-переходы за счет уменьшения перераспределения внедренной примеси при данной обработке без ухудшения их электрических характеристик. Разработана конструкция формирования n-p-n- и p-n-p-транзисторов, позволяющая провести вертикальное масштабирование интегральных микросхем в два раза без изменения топологических норм их проектирования. |
| Alternative abstract: | It is shown, that application of the fast thermal treatments in the technological process of creation of the integrated microcircuits ensures formation of the shallow bulk p-n-junctions due to reduction of redistribution of the implanted impurity with the given processing without deterioration of their electric characteristics. The formation design is developed of the n-p-n- and p-n-p-transistors, making it possible to perform the two times vertical scaling of the integrated microcircuits without variation of the layout rated norms of their design development. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34993 |
| Appears in Collections: | №4 (50) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Pilipenko_Peculiarities.PDF | 545.31 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.