Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35229
Title: Моделирование воздействия радиопомех на полупроводниковые приборы и микросхемы
Authors: Титович, Н. А.
Теслюк, В. Н.
Тарасенко, В. А.
Keywords: публикации ученых;полупроводниковые приборы;микросхемы;СВЧ помехи;моделирование воздействия
Issue Date: 2019
Publisher: Лаборатория интеллекта
Citation: Титович, Н. А. Моделирование воздействия радиопомех на полупроводниковые приборы и микросхемы / Н. А. Титович, В. Н. Теслюк, В. А. Тарасенко // сборник научных статей 8-й Международной научной конференции по военно-техническим проблемам, проблемам обороны и безопасности, использованию технологий двойного применения, Минск, 16–17 мая 2019 г. : в 5 ч. Ч. 4. / Государственный военно-промышленный комитет Республики Беларусь. – Минск : Лаборатория интеллекта, 2019. – С. 67-69.
Abstract: Проведено моделирование воздействия высокочастотных помех на параметры цифровых микросхем. Использована модель с разбиением элементов микросхемы на составные части: ядро, корпус, сигнальные цепи и цепи питания. Результаты расчетов совпадают с данными экспериментов. Полученные результаты дают основание использовать модели данных элементов при оценке восприимчивости к воздействию радиопомех более сложных микросхем.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35229
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Titovich_Modelirovaniye.pdf216.46 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.