| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Чан Бинь Тхан | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-02T07:27:52Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-02T07:27:52Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Чан Бинь Тхан. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур / Чан Бинь Тхан // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 11 июня 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники; редкол. : Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2019. – С. 76. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35570 | - |
| dc.description.abstract | В работе представлены результаты исследования поверхностно барьерных структур
на основе монокристаллов In/ (MnIn2S4)0,5 *(AgIn5S8)0,5. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | поверхностно барьерные структуры | ru_RU |
| dc.subject | монокристаллы | ru_RU |
| dc.title | Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2019
|
