DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Ремизевич, М. В. | - |
dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | - |
dc.date.accessioned | 2019-07-08T11:17:50Z | - |
dc.date.available | 2019-07-08T11:17:50Z | - |
dc.date.issued | 2019 | - |
dc.identifier.citation | Ремизевич, М. В. Спинтронные элементы резистивной памяти / М. В. Ремизевич, А. Л. Данилюк // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 11 июня 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники; редкол. : Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2019. – С. 60. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35642 | - |
dc.description.abstract | В настоящее время устройства резистивной памяти с произвольной выборкой (RRAM)
активно разрабатываются. В перспективе они могут заменить магнитную память (MRAM). | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | устройства резистивной памяти | ru_RU |
dc.subject | магнитная память | ru_RU |
dc.title | Спинтронные элементы резистивной памяти | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | ТСЗИ 2019
|