Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35642
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorРемизевич, М. В.-
dc.contributor.authorДанилюк, А. Л.-
dc.date.accessioned2019-07-08T11:17:50Z-
dc.date.available2019-07-08T11:17:50Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationРемизевич, М. В. Спинтронные элементы резистивной памяти / М. В. Ремизевич, А. Л. Данилюк // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 11 июня 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники; редкол. : Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2019. – С. 60.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35642-
dc.description.abstractВ настоящее время устройства резистивной памяти с произвольной выборкой (RRAM) активно разрабатываются. В перспективе они могут заменить магнитную память (MRAM).ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectустройства резистивной памятиru_RU
dc.subjectмагнитная памятьru_RU
dc.titleСпинтронные элементы резистивной памятиru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:ТСЗИ 2019

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Remizevich_Spintronnyye.pdf114.4 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.