| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Шиманович, Д. Л. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-08T12:41:07Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-08T12:41:07Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Шиманович, Д. Л. Методы создания Al-Al2O3-оснований с толстослойной медной металлизацией для микрополосковых СВЧ-элементов / Д. Л. Шиманович // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 11 июня 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники; редкол. : Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2019. – С. 77 – 78. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35653 | - |
| dc.description.abstract | Использование механически прочных Al-оснований с диэлектрическим слоем Al2O3,
полученным в результате электрохимического процесса одностороннего анодирования,
является весьма перспективным, если учесть тот фактор, что вторая неокисленная сторона
таких оснований служит сплошным металлизированным экраном. Толщина диэлектрического
слоя и его структурно-морфологические параметры, которые влияют на величину затухания
СВЧ-сигналов, могут контролироваться электрохимическими режимами анодирования [1]. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | Al-Al2O3- основания | ru_RU |
| dc.subject | СВЧ-диапазон | ru_RU |
| dc.title | Методы создания Al-Al2O3-оснований с толстослойной медной металлизацией для микрополосковых СВЧ-элементов | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2019
|
