| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Нигериш, К. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-09-17T08:23:45Z | - |
| dc.date.available | 2019-09-17T08:23:45Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Нигериш, К. А. Синтез топологически изолированных нанопроводов Bi2Se3 методом осаждения из газовой фазы / К. А. Нигериш // Радиотехника и электроника: 55-я юбилейная научная конференция аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22–26 апреля 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2019. – С. 191–192. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36270 | - |
| dc.description.abstract | Топологические изоляторы являются примером нового класса квантовых материалов, который находится на пороге поиска
приложений в электронных устройствах. Особый интерес представляет Bi2Se3, поскольку его можно выращивать в виде
длинных (несколько десятков микрометров) нанопроводов, которые удобно интегрировать в электронные устройства. Такие
нанопровода являются трехмерными топологическими изоляторами с исчезающей объемной проводимостью, а также могут
быть электрически соединены и дополнительно структурированы для локального создания запрещенной зоны. Bi2Se3 также
имеет очень большую запрещенную зону, это означает, что топологическая фаза может быть видна при комнатной
температуре. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | топологические изоляторы | ru_RU |
| dc.subject | квантовые материалы | ru_RU |
| dc.title | Синтез топологически изолированных нанопроводов Bi2Se3 методом осаждения из газовой фазы | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 55-й юбилейной научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2019)
|
