| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Стельмахов, Р. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-09-17T08:48:34Z | - |
| dc.date.available | 2019-09-17T08:48:34Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Стельмахов, Р. В. Радиационная стойкость биполярных интегральных микросхем / Р. В. Стельмахов // Радиотехника и электроника: 55-я юбилейная научная конференция аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22–26 апреля 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2019. – С. 212–213. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36280 | - |
| dc.description.abstract | Целью работы является исследование основных параметров транзисторов (коэффициента усиления по току, токов утечки и
падения напряжения на переходах коллектор-база и эмиттер-база), являющихся элементной базой биполярных
интегральных микросхем, в условиях воздействия радиации. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | биполярные интегральные микросхемы | ru_RU |
| dc.subject | транзисторы | ru_RU |
| dc.title | Радиационная стойкость биполярных интегральных микросхем | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 55-й юбилейной научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2019)
|
