| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Гурбо, А. Д. | - |
| dc.contributor.author | Клименко, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-10-07T13:10:21Z | - |
| dc.date.available | 2019-10-07T13:10:21Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Гурбо, А. Д. Формирование слоев пористого кремния на сильнолегированных монокристаллах кремния дырочного типа проводимости / Гурбо А. Д., Клименко А. В., Бондаренко В. П. // Доклады БГУИР. – 2019. – № 6 (124). – С. 31 – 37. – DOI: http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2019-124-6-31-37. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36656 | - |
| dc.description.abstract | Методом электрохимического анодирования на кремниевых подложках дырочного типа
проводимости получены слои пористого кремния. Изучены закономерности роста слоев и зависимость
их пористости от длительности анодирования и плотности анодного тока. Получена математическая
модель роста слоев пористого кремния. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | пористый кремний | ru_RU |
| dc.subject | электрохимическое анодирование | ru_RU |
| dc.subject | кремниевые структуры | ru_RU |
| dc.subject | porous silicon | ru_RU |
| dc.subject | electrochemical anodisation | ru_RU |
| dc.subject | silicon structures | ru_RU |
| dc.title | Формирование слоев пористого кремния на сильнолегированных монокристаллах кремния дырочного типа проводимости | ru_RU |
| dc.title.alternative | Formation of porous silicon on a highly doped p-type monocrystalline silicon | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Porous silicon layers were formed on a p-type silicon wafers by electrochemical anodisation.
Dependencies of thickness and porosity of porous silicon layers as well as effective valence of silicon
dissolution versus anodizing time and current density were obtained and analysed. A mathematical model
for growth of layers of porous silicon was developed. | - |
| Appears in Collections: | №6 (124)
|
