| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ремизевич, М. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-10-10T13:42:19Z | - |
| dc.date.available | 2019-10-10T13:42:19Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Ремизевич, М. В. Элементы резистивной памяти на основе наноструктур с оксидами переходных металлов : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1- 41 80 03 / М. В. Ремизевич; науч. рук. А. Л. Данилюк. - Минск : БГУИР, 2019. – 7 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36738 | - |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | оксида гафния | ru_RU |
| dc.subject | обратимый электрический пробой | ru_RU |
| dc.title | Элементы резистивной памяти на основе наноструктур с оксидами переходных металлов | ru_RU |
| dc.type | Автореферат | ru_RU |
| Appears in Collections: | 1-41 80 03 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике)
|
