| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Чан, Н. Д. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-11-13T08:35:50Z | - |
| dc.date.available | 2019-11-13T08:35:50Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Чан, Н. Д. Тепловые поля в кремниевых подложках при лазерной прошивке отверстий / Чан Н. Д. // Электронные системы и технологии : 55-я юбилейная конференция аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22-26 апреля 2019 г. : сборник тезисов докладов / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск : БГУИР, 2019. – С. 394-395. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37194 | - |
| dc.description.abstract | При моделировании тепловых полей в кремниевых подложках установлено, что уменьшение радиуса лазерного излучения ведет к росту температуры нагрева в зоне обработки ввиду большей концентрации источника тепла. Время нагрева для прошивки отверстия должно находиться в пределах 4–5 c при радиусе лазерного пучка 1 мм, и в пределах 70 c при радиусе 2 мм. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | лазерная прошивка | ru_RU |
| dc.subject | кремниевая подложка | ru_RU |
| dc.subject | лазерное излучение | ru_RU |
| dc.subject | Through Silicon Vias | ru_RU |
| dc.subject | сквозное отверстие в кремнии | ru_RU |
| dc.title | Тепловые поля в кремниевых подложках при лазерной прошивке отверстий | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
