Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37457
Title: Закономерности формирования тонких металлических пленок на стекле при ионно-ассистированном осаждении
Authors: Ташлыкова-Бушкевич, И. И.
Яковенко, Ю. С.
Бушкевич, И. А.
Гагуа, Д. Р.
Цаль, А. С.
Keywords: публикации ученых;ионно-ассистированное осаждение;металлические пленки;микроструктура;молибден
Issue Date: 2019
Publisher: Белорусский государственный университет
Citation: Закономерности формирования тонких металлических пленок на стекле при ионно-ассистированном осаждении / И. И. Ташлыкова-Бушкевич [и др.] // Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10 - 11 октября 2018 г. / редкол.: В. Б. Оджаев [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 117–122.
Abstract: Методами растровой электронной микроскопии (РЭМ) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследовано влияние условий ионно-ассистированного осаждения на микроструктуру поверхности тонких металлических пленок из молибдена на стеклянные подложки. Получено, что при пассивном нанесении Mo с увеличением времени осаждения покрытия с 3 до 9 ч шероховатость поверхности увеличивается от 1,05 до 1,66 нм и уменьшается при приложении потенциала, снижаясь до 0,33 нм при осаждении в течение 5 ч при U = 10 кВ. Установлена корреляция характера изменения шероховатости пленок и среднего диаметра, объемной доли и удельной поверхности границ частиц микрокапельной фракции в зависимости от режима и времени нанесения покрытий. Построение гистограмм распределения высот и впадин рельефа поверхности позволило провести количественный анализ изменения микроморфологии пленок в процессе их роста.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37457
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Tashlykova_Bushkevich_Zakonomernosti.pdf602.03 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.