https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37796
Title: | Электрооптическое переключение главной оптической оси спиральной наноструктуры сегнетоэлектрического жидкого кристалла в планарно-ориентированной дисплейной ячейке |
Other Titles: | Electro-optical switching of the main optical axis of a ferroelectric liquid crystal spiral nanostructure in a planar-oriented display cell |
Authors: | Пожидаев, Е. П. Ткаченко, Т. П. Кузнецов, А. В. Компанец, И. Н. |
Keywords: | доклады БГУИР;IPS;переключение главной оптической оси;сегнетоэлектрический жидкий кристалл;электрооптический эффект деформированной спиральной наноструктуры |
Issue Date: | 2019 |
Publisher: | БГУИР |
Citation: | Электрооптическое переключение главной оптической оси спиральной наноструктуры сегнетоэлектрического жидкого кристалла в планарно-ориентированной дисплейной ячейке / Е. П. Пожидаев [и др.] // Доклады БГУИР. – 2019. – № 7 (125). – С. 21-27. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-21-27. |
Abstract: | В известной дисплейной ячейке с нематическим жидким кристаллом (НЖК) и встречно- штыревыми электродами на одной из стеклянных подложек реализуется режим переключения «In-Plane Switching» (IPS), при котором главная оптическая ось НЖК переориентируется в параллельной подложкам плоскости, обеспечивая наиболее корректную цветопередачу при разных углах обзора, вплоть до 178 ° пo горизонтали и вертикали. К сожалению, создание гребенки металлических электродов усложняет и удорожает технологический процесс и вызывает ухудшение контрастности изображения. В то же время экспериментальные результаты и расчеты, основанные на классической электрооптике кристаллов, свидетельствуют, что электрооптическое переключение в режиме IPS является естественной и неотъемлемой особенностью обычной (со сплошными электродами) дисплейной ячейки с планарно-ориентированным слоем сегнетоэлектрического жидкого кристалла (СЖК), в котором реализуется эффект деформированной электрическим полем спиральной наноструктуры СЖК (DHF-эффект). В такой ячейке переориентация главной оптической оси под воздействием слабого электрического поля тоже происходит в плоскости подложек, если СЖК имеет малый шаг (около 100 нм и менее) и большой угол наклона молекул в слое (около 38 ° и более). Измеренные в данной работе зависимости коэффициента пропускания света СЖК-ячейкой подтвердили достижение электрооптического режима IPS в ячейке DHF СЖК, причем частота модуляции света составила 1 кГц. Таким образом, при сохранении всех достоинств IPS-режима, известных в НЖК, реализация его в СЖК позволяет дополнительно получить технологические преимущества и многократный выигрыш в частоте модуляции. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37796 |
Appears in Collections: | №7 Спецвыпуск (125) |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Pozhidayev_Elektroopticheskoye.pdf | 1.66 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.