| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Казаркин, Б. А. | - |
| dc.contributor.author | Степанов, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Муха, Е. В. | - |
| dc.contributor.author | Захарченя, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Хохлов, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Смирнов, А. Г. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-12-11T12:08:41Z | - |
| dc.date.available | 2019-12-11T12:08:41Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Тонкопленочные транзисторы с InGaZnO-полупроводниковым слоем для активно-матричной адресации / Б. А. Казаркин [и др.] // Доклады БГУИР. – 2019. – № 7 (125). – С. 101-106. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-101-106. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37809 | - |
| dc.description.abstract | В работе представлены результаты исследования тонкопленочных транзисторов на основе
полупроводникового соединения InGaZnO (IGZO) для активно-матричной адресации дисплеев,
формируемого методом магнетронного плазмохимического осаждения. Исследованы их структурно-
морфологические и электрофизические свойства. Проведен анализ подвижности носителей заряда
методом Холла. Изучено влияние отжига в вакууме, атмосфере кислорода и атмосфере азота на размер
зерен пленки IGZO. Полученные слои характеризуются высокой подвижностью носителей заряда,
что позволяет их использовать при изготовлении ЖК- и OLED-дисплеев нового поколения. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | оксид индия-галлия-цинка | ru_RU |
| dc.subject | прозрачные проводящие слои | ru_RU |
| dc.subject | дисплейная техника. | ru_RU |
| dc.title | Тонкопленочные транзисторы с InGaZnO-полупроводниковым слоем для активно-матричной адресации | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | №7 Спецвыпуск (125)
|
