Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38422
Title: Механизмы повреждений полупроводниковых структур, вызванные воздействием ЭМИ
Authors: Константинов, А. А.
Панасюк, Н. А.
Яненко, Н. В.
Keywords: публикации ученых;электростатический разряд;тепловой вторичный пробой
Issue Date: 2019
Publisher: РГРТУ имени В.Ф. Уткина
Citation: Константинов, А. А. Механизмы повреждений полупроводниковых структур, вызванные воздействием ЭМИ / А. А. Константинов, Н. А. Панасюк, Н. В. Яненко // Новые информационные технологии в научных исследованиях (НИТ-2019) : материалы XХIV Всероссийской научно-технической конференции студентов, молодых ученых и специалистов, Рязань, 13-15 ноября 2019 г. : в 2 т. Т. 2 / Рязанский государственный радиотехнический университет имени В. Ф. Уткина. – Рязань, 2019. – С. 97–100.
Abstract: В результате анализа работ [1–10] выявлено существование пяти наиболее распространенных и связанных с электростатическим разрядом (ЭСР) механизмов отказов: тепловой вторичный пробой, расплавление металлизации, явления перегрева и пробоя, а также разрыв окисного слоя.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38422
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Konstantinov_Mekhanizmy.pdf286.78 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.