| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Алексеев, В. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Лихачевский, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Пискун, Г. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-06-10T07:43:56Z | - |
| dc.date.available | 2020-06-10T07:43:56Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Алексеев, В. Ф. Методика численного моделирования тепловых процессов в микроэлектронных структурах / В. Ф. Алексеев, Д. В. Лихачевский, Г. А. Пискун // BIG DATA and Advanced Analytics = BIG DATA и анализ высокого уровня: сб. материалов VI Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 20-21 мая 2020 года: в 3 ч. Ч. 3 / редкол.: В. А. Богуш [и др.]. – Минск : Бестпринт, 2020. – С. 34–37. | ru_RU |
| dc.identifier.issn | 978-985-90533-9-9 | - |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/39055 | - |
| dc.description.abstract | Показана необходимость численного моделирования тепловых процессов, протекающих в микроэлектронных структурах. Отмечается, что трудности расчета температурных полей в микроэлектронных структурах увеличиваются вследствие непрерывного увеличения плотности упаковки, числа топологических слоев, уменьшения размеров элементов. Предлагается в качестве метода моделирования выбрать метод конечных элементов, как эффективный способ численного решения краевых задач теплообмена. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Беспринт | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | микроэлектронная структура | ru_RU |
| dc.subject | тепловые процессы | ru_RU |
| dc.subject | метод конечных элементов | ru_RU |
| dc.subject | microelectronic structure | - |
| dc.subject | thermal processes | - |
| dc.subject | finite element method | - |
| dc.title | Методика численного моделирования тепловых процессов в микроэлектронных структурах | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The necessity of numerical simulation of thermal processes occurring in microelectronic structures is shown. It is noted that the difficulties of calculating temperature fields in microelectronic structures increase due to the continuous increase in the density of packaging, the number of topological layers, and the reduction in the size of elements. It is proposed to choose the finite element method as a modeling method, as an effective method for numerical solution of boundary value problems of heat transfer. | - |
| Appears in Collections: | BIG DATA and Advanced Analytics = BIG DATA и анализ высокого уровня : материалы конференции (2020)
|
