| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Писаренко, Н. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-09-11T08:32:50Z | - |
| dc.date.available | 2020-09-11T08:32:50Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Писаренко, Н. С. Деградация характеристик МОП-структур в условиях накопления заряда в подзатворном диэлектрике на основе двуокиси кремния / Писаренко Н. С. // Радиотехника и электроника : сборник тезисов докладов 56-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель-май 2020 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Минск : БГУИР, 2020. - С. 31. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/39893 | - |
| dc.description.abstract | Деградация характеристик МОП транзисторов, связанная с ухудшением свойств подзатворного диэлектрика на основе диоксида кремния, является одной из основных проблем отечественных КМОП ИМС. Решение этой проблемы обуславливает дальнейшую миниатюризацию и увеличение надежности микроэлектронных устройств. Практическая значимость проводимых научных исследований связана с необходимостью повышения надежности МОП транзисторов субмикронных размеров на кремниевых подложках КДБ12 (100) и КДБ10 (111). Настоящая работа посвящена исследованиям, направленным на повышение качества подзатворного оксида в условиях изготовления отечественных ИМС, что позволит значительно снизить количество брака и отказов, связанных с пробоем подзатворного диэлектрика. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | МОП-транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | подзатворные диэлектрики | ru_RU |
| dc.subject | интегральные микросхемы | ru_RU |
| dc.title | Деградация характеристик МОП-структур в условиях накопления заряда в подзатворном диэлектрике на основе двуокиси кремния | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 56-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2020)
|
