Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/41563
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМуравьев, В. В.-
dc.contributor.authorМищенко, В. Н.-
dc.date.accessioned2020-12-09T08:41:59Z-
dc.date.available2020-12-09T08:41:59Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationМуравьев, В. В. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бора / Муравьев В. В., Мищенко В. Н. // Доклады БГУИР. – 2020. – № 18 (7). – С. 71–78. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2020-18-7-71-78.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/41563-
dc.description.abstractПриведены результаты моделирования процессов переноса электронов в трехмерной полупроводниковой структуре, содержащей графен и слои гексогонального нитрида бора, с использованием метода Монте-Карло. Графен рассматривается в настоящее время как один из наиболее перспективных материалов для создания новых полупроводниковых приборов в высокочастотных диапазонах работы. Использование графена, который обладает высокой подвижностью носителей заряда, высокой теплопроводностью и рядом других положительных свойств, позволяет разработать новые полупроводниковые приборы с хорошими выходными характеристиками. Путем моделирования получены основные характеристики переноса электронов – зависимости скорости, средней энергии, подвижности от напряженности электрического поля в полупроводниковой структуре, содержащей слой графена и области из нитрида бора. Моделирование процессов переноса электронов производилось с учетом изменения температуры слоев графена и нитрида бора, что наблюдается с увеличением напряженности электрического поля в структуре. Анализ полученных зависимостей показал, что при небольших значениях напряженности электрического поля, которые не превышают величину, равную приблизительно 2,5 кВ/см, наблюдается нелинейное изменение температуры структуры. При более значительных значениях напряженности электрического поля отмечается квазилинейное изменение температуры. Аналогичный вид зависимостей наблюдается и для зависимостей средней энергии электронов от напряженности электрического поля, полученных для слоя графена. Полученные зависимости характеристик переноса электронов могут служить основой для определения выходных характеристик в многослойных полупроводниковых приборах, содержащих слои графена, гексогонального нитрида бора и других материалов.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectграфенru_RU
dc.subjectнитрид бораru_RU
dc.subjectпроцессы переноса электроновru_RU
dc.subjectметод Монте-Карлоru_RU
dc.subjectgrapheneru_RU
dc.subjectboron nitrideru_RU
dc.subjectelectron transfer processesru_RU
dc.subjectMonte–Carlo methodru_RU
dc.titleМоделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бораru_RU
dc.title.alternativeSimulation of electron transfer processes in a semiconductor structure using graphene and boron nitrideru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThis paper presents the results of simulating the electron transfer processes in a three-dimensional semiconductor structure containing graphene and layers of boron hexagonal nitride using the Monte – Carlo method. Graphene is currently considered one of the most promising materials for the creation of new semiconductor devices with good performance for high frequency ranges. The use of graphene, which has high mobility of charge carriers, high thermal conductivity and a number of other positive properties, allows the development of new semiconductor devices with good output characteristics. The simulation allowed us to obtain the main characteristics of electron transfer, namely, dependence of speed, average energy, mobility on the strength of the electric field in a semiconductor structure containing a layer of graphene and boron nitride region. Electron transfer processes were simulated considering temperature variations of graphene and boron nitride layers, which is observed with increasing strength of the electric field in the structure. The analysis of the obtained dependencies showed that at small values of electric field strength, which does not exceed approximately 2.5 kV/cm, there is a nonlinear change in electron energy and temperature. At more significant values of electric field strength a quasi-linear change in temperature is observed. The similar course of dependence is observed also for the dependences of the average energy of electrons on the intensity of the electric field for the graphene layer. The resulting dependencies of electron transfer characteristics can serve the basis for determining output characteristics in multi-layer semiconductor devices containing layers of graphene, boron hexagonal nitride and other materials.-
Appears in Collections:№ 18(7)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Muravyev_Modelirovaniye.pdf557.97 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.