| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Молодечкина, Т. В. | - |
| dc.contributor.author | Борская, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Дроздова, И. В. | - |
| dc.contributor.author | Молодечкин, М. О. | - |
| dc.contributor.author | Бондаровец, Т. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-12-23T12:32:43Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-23T12:32:43Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Получение порошков диоксида различной кристаллографической модификации / Молодечкина Т. В. [и др.] // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVIII Белорусско-российской научно-технической конференции, Браслав, 24–28 мая 2010 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2010. – С. 105. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42091 | - |
| dc.description.abstract | В настоящее время наиболее распространены и перспективны полупроводниковые датчики на основе оксидов металлов. Практически все оксиды металлов, являющиеся полупроводниками, обладают газовой чувствительностью. Такие материалы имеют простую, стабильную структуру. Они термостойки, дешевы в производстве. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые датчики | ru_RU |
| dc.subject | оксиды металлов | ru_RU |
| dc.subject | кристаллография | ru_RU |
| dc.title | Получение порошков диоксида различной кристаллографической модификации | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2010
|
