| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Телеш, Е. В. | - |
| dc.contributor.author | Зырянова, А. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-12-24T06:05:51Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-24T06:05:51Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Телеш, Е. В. Частотные характеристики тонкопленочных структур Ni/HfO2/Ni / Телеш Е. В., Зырянова А. С. // Информационные радиосистемы и радиотехнологии 2020 : материалы Республиканской научно-практической конференции, Минск, 28-29 октября 2020 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. А. Богуш [и др.]. – Минск : БГУИР, 2020. – С. 334-336. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42104 | - |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние состава рабочего газа и температуры подложки на частотную дисперсию электрофизических характеристик тонкопленочных структур Ni/HfO2/Ni, полученных реактивным ионнолучевым распылением металлической мишени. Установлено повышение диэлектрической проницаемости и потерь при частоте выше 400 кГц, что можно связать с недостаточным окислением гафния и образованием кислородных вакансий в пленке диоксида гафния. Повышение температуры подложки способствовало значительному росту величины диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь при частотах 20–40 кГц. При увеличении частоты внешнего поля до 100 кГц наблюдалось резкое снижение уровня и tg. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | тонкопленочные структуры | ru_RU |
| dc.subject | ионнолучевые распыления | ru_RU |
| dc.title | Частотные характеристики тонкопленочных структур Ni/HfO2/Ni | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The effect of the composition of the working gas and the substrate temperature on the frequency dispersion of the electrophysical characteristics of thin-film Ni/HfO2/Ni structures obtained by reactive ion-beam sputtering of a metal target is investigated. An increase in the dielectric constant and losses at a frequency above 400 kHz was established, which can be associated with insufficient oxidation of hafnium and the formation of oxygen vacancies in the hafnium dioxide film. An increase in the substrate temperature promoted a significant increase in the dielectric constant and dielectric loss tangent at frequencies of 20 – 40 kHz. With an increase in the frequency of the external field to 100 kHz, a sharp decrease in the level of tg and was observed. | - |
| Appears in Collections: | Информационные радиосистемы и радиотехнологии 2020 : Республиканская научно-практическая конференция
|
