| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Павлюковец, С. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-12-24T06:06:11Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-24T06:06:11Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Павлюковец, С. А. Фоточувствительные структуры на основе FEIN2S4 / Павлюковец С. А. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVIII Белорусско-российской научно-технической конференции, Браслав, 24–28 мая 2010 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2010. – С. 75–76. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42105 | - |
| dc.description.abstract | Целью данной работы, принадлежащей новому перспективному направлению полупроводниковой электроники (спинтроники), являлось выращивание монокристаллов FeIn2S4 и создание первых фоточувствительных структур на их основе, позволивших в итоге начать первые реальные исследования их фотоэлектрических свойств и определить первые прикладные перспективы нового магнитного полупроводника. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | спинтроника | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковая электроника | ru_RU |
| dc.subject | монокристаллы | ru_RU |
| dc.subject | магнитные полупроводники | ru_RU |
| dc.title | Фоточувствительные структуры на основе FEIN2S4 | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2010
|
