| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Шелибак, И. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-12-24T07:39:33Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-24T07:39:33Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Шелибак, И. М. Моделирование технологии формирования структуры IGBT транзистора / Шелибак И. М. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVIII Белорусско-российской научно-технической конференции, Браслав, 24–28 мая 2010 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2010. – С. 122. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42123 | - |
| dc.description.abstract | IGBT-транзистор (англ. Insulated Gate Bipolar Transistor — биполярный транзистор с изолированным затвором) представляет собой силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами. Выпускаются как отдельные IGBT, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для управления цепями трёхфазного тока. Диапазон использования IGBT транзистор — от десятков а до 1200 а по току, от сотен вольт до 10 кВ по напряжению. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | биполярные транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | IGBT-транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | силовые электронные приборы | ru_RU |
| dc.title | Моделирование технологии формирования структуры IGBT транзистора | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2010
|
