DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Столер, В. А. | - |
dc.date.accessioned | 2020-12-24T08:17:15Z | - |
dc.date.available | 2020-12-24T08:17:15Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.citation | Столер, В. А. Особенности автоэлектронной эмиссии из полупроводников / Столер В. А. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVIII Белорусско-российской научно-технической конференции, Браслав, 24–28 мая 2010 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2010. – С. 81. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42136 | - |
dc.description.abstract | Среди эмиссионных явлений автоэмиссия занимает особое место как чисто квантовый эффект, при котором для высвобождения электронов из катода не требуется затрат энергии на сам эмиссионный процесс в отличие от термо-, фото- и вторичной эмиссии. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | эмиссионные процессы | ru_RU |
dc.subject | автоэлектронная эмиссия | ru_RU |
dc.subject | полупроводники | ru_RU |
dc.title | Особенности автоэлектронной эмиссии из полупроводников | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | ТСЗИ 2010
|