https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42225
Title: | Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами |
Other Titles: | Simulation of Graphene Field-Effect Transistors with the Single and Dual Gates |
Authors: | Абрамов, И. И. Коломейцева, Н. В. Лабунов, В. А. Романова, И. А. |
Keywords: | публикации ученых;полевые транзисторы;графены;вольт-амперные характеристики;комбинированное моделирование |
Issue Date: | 2017 |
Publisher: | Новые технологии |
Citation: | Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами / Абрамов И. И. [и др.] // Нано- и микросистемная техника. – 2017. – Т. 19, № 2. – С. 714–721. – DOI : 10.17587/nmst.19.714-721. |
Abstract: | С использованием разработанных комбинированных моделей проведено моделирование одно- и двухзатворных полевых транзисторов на однослойном графене. Исследовано влияние различных факторов на вольт-амперные характеристики приборов. Получено хорошее согласование результатов расчетов с экспериментальными данными. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42225 |
Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Abramov_Modelirovaniye.pdf | 723.7 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.