| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Данилюк, М. А. | - |
| dc.contributor.author | Мигас, Д. Б. | - |
| dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-01-12T12:16:09Z | - |
| dc.date.available | 2021-01-12T12:16:09Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.citation | Данилюк, М. А. Механизм переключения резистивной памяти на основе диоксида гафния / Данилюк М. А., Мигас Д. Б., Данилюк А. Л. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов IХ Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 28–29 июня 2011 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2011. – С. 64–65. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42400 | - |
| dc.description.abstract | Актуальной задачей для систем защиты информации является разработка запоминающих устройств, сочетающих энергонезависимое хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокую скорость чтения/записи, неограниченное число циклов стирания/записи данных, высокую масштабируемость и плотность ячеек для создания микросхем памяти различного объема. Одним из перспективных направлений является разработка резистивной энергонезависимой памяти с произвольной выборкой (RRAM) на основе диоксида гафния. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | защита информации | ru_RU |
| dc.subject | информационная безопасность | ru_RU |
| dc.subject | запоминающие устройства | ru_RU |
| dc.subject | наношнуры | ru_RU |
| dc.title | Механизм переключения резистивной памяти на основе диоксида гафния | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2011
|
