DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Соловьянчик, А. Н. | - |
dc.contributor.author | Таболич, Т. Г. | - |
dc.contributor.author | Климович, В. В. | - |
dc.date.accessioned | 2021-01-14T08:22:36Z | - |
dc.date.available | 2021-01-14T08:22:36Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.citation | Соловьянчик, А. Н. Выбор температуры термовыдержки при изготовлении мощных кремниевых транзисторов для источников питания / Соловьянчик А. Н., Таболич Т. Г., Климович В. В. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов IХ Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 28–29 июня 2011 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2011. – С. 82–83. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42450 | - |
dc.description.abstract | В докладе проверяется справедливость одной эмпирической гипотезы для выбора температуры термовыдержки — гипотезы о том, что при увеличении температуры термовыдержки на каждые 10 градусов наработка до отказа сокращается примерно в 2 раза. Проверка сделана для источников вторичного электропитания (ИВЭП), большинство элементов которых составляют мощные кремниевые транзисторы. Показано, что проверяемая гипотеза справедлива для коэффициента электрической нагрузки входящих в ИВЭП транзисторов, примерно равной 0,1. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | защита информации | ru_RU |
dc.subject | информационная безопасность | ru_RU |
dc.subject | термовыдержка | ru_RU |
dc.subject | транзисторы | ru_RU |
dc.subject | источники питания | ru_RU |
dc.title | Выбор температуры термовыдержки при изготовлении мощных кремниевых транзисторов для источников питания | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | ТСЗИ 2011
|