Конденсатор для интегральных микросхем

Хмыль, А. А.; Емельянов, А. В.; Алиева, Н. В.; Емельянов, В. А.; Трусов, В. Л.; Шикуло, В. Е.; Сенько, С. Ф.

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Хмыль, А. А.	-
dc.contributor.author	Емельянов, А. В.	-
dc.contributor.author	Алиева, Н. В.	-
dc.contributor.author	Емельянов, В. А.	-
dc.contributor.author	Трусов, В. Л.	-
dc.contributor.author	Шикуло, В. Е.	-
dc.contributor.author	Сенько, С. Ф.	-
dc.date.accessioned	2021-02-04T05:54:50Z	-
dc.date.available	2021-02-04T05:54:50Z	-
dc.date.issued	2013	-
dc.identifier.citation	Конденсатор для интегральных микросхем : пат. 9178 U Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01L 29/94 / Хмыль А. А., Емельянов А. В., Алиева Н. В., Емельянов В. А., Трусов В. Л., Шикуло В. Е., Сенько С. Ф. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № u 20120965 ; заявл. 06.11.2012 ; опубл. 30.04.2013. – 6 с. : ил.	ru_RU
dc.identifier.uri	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42837	-
dc.description.abstract	Конденсатор для интегральных микросхем, содержащий нижнюю обкладку из легированного поликристаллического кремния, расположенную на диэлектрической пленке, сформированной на полупроводниковой подложке с активными элементами, пленку конденсаторного диэлектрика, состоящую из слоя диоксида кремния и слоя нитрида кремния, и верхнюю обкладку из легированного поликристаллического кремния, отличающийся тем, что дополнительно содержит слой оксинитрида кремния толщиной 1-5 нм, расположенный между слоем нитрида кремния и верхней обкладкой.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	Национальный центр интеллектуальной собственности	ru_RU
dc.subject	патенты	ru_RU
dc.subject	интегральные микросхемы	ru_RU
dc.subject	конденсаторы	ru_RU
dc.title	Конденсатор для интегральных микросхем	ru_RU
dc.title.alternative	Пат. 9178 U Респ. Беларусь	ru_RU
dc.type	Другое	ru_RU
Appears in Collections:	Полезные модели