Способ изготовления транзистора

Abstract

Способ изготовления транзистора, включающий формирование пленки диоксида кремния посредством термического окисления поверхности кремниевой подложки с эпитаксиальным слоем с последующим осаждением пиролитического диоксида кремния, вскрытие в комбинированном слое диоксида кремния окна под базовую область, выращивание на вскрытой поверхности пленки термического диоксида кремния, осаждение на нее фоторезиста, вскрытие в нем окон под охранное кольцо, легирование области охранного кольца путем ионного внедрения базовой примеси через пленку термического диоксида кремния по маске фоторезиста с окнами под охранное кольцо, диффузионный отжиг базовой примеси в нейтральной среде, вскрытие в пленке термического диоксида кремния эмиттерных окон для формирования базовой области, легирование базовой области путем ионного внедрения базовой примеси в кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем через пленку термического диоксида кремния и в ее эмиттерные окна, диффузионный отжиг базовой примеси в нейтральной среде, легирование эмиттерных областей путем ионного внедрения эмиттерной примеси в кремниевую подложку через эмиттерные окна в пленке термического диоксида кремния, диффузионный отжиг эмиттерной примеси в нейтральной среде, вскрытие контактных окон и формирование контактов к эмиттерной и базовой областям на основе алюминия с барьерным слоем молибдена, отличающийся тем, что перед нанесением пленки алюминия на поверхность кремниевой подложки с эпитаксиальным слоем с вскрытыми контактными окнами на эту поверхность наносят пленку молибдена толщиной h, осаждают на нее фоторезист, вскрывают в нем эмиттерные окна, дополнительно легируют эмиттерные области путем ионного внедрения эмиттерной примеси через пленку молибдена по маске фоторезиста с окнами под эмиттер дозой ионов эмиттерной примеси 0,5·1014-6,2·1014 см -2 и энергией ионов такой, чтобы средний проективный пробег ионов был не меньше толщины h пленки молибдена, после нанесения пленки алюминия формируют разводку и осуществляют низкотемпературный отжиг контактов в нейтральной среде.