Способ изготовления тонкопленочного конденсатора

Abstract

Способ изготовления тонкопленочного конденсатора, заключающийся в том, что на диэлектрическую подложку последовательно наносят токоподводящую пленку тантала, первый слой алюминия и вспомогательную пленку тантала, из которой посредством фотолитографии и травления формируют маску по рисунку нижней обкладки, наносят второй слой алюминия и защитную пленку тантала, из которой посредством фотолитографии и травления формируют маску по рисунку переходного контактного столбика к нижней обкладке, затем в непрерывном цикле осуществляют пористое электрохимическое анодирование второго и первого слоев алюминия в 0,4 M водном растворе щавелевой кислоты при температуре 296,0 K и напряжении формовки 53,0 B, осуществляют реанодирование токоподводящей пленки тантала и маски из вспомогательной пленки тантала и их термическое доокисление, удаляют посредством травления окисленную часть маски из защитной пленки тантала, наносят третий слой алюминия, формируют маски из плотного оксида алюминия по рисунку верхней обкладки и контактной площадки к нижней обкладке посредством фотолитографии и плотного электрохимического анодирования поверхности третьего слоя алюминия, осуществляют пористое электрохимическое анодирование незащищенных участков третьего слоя алюминия, вскрывают контактные окна в масках из плотного оксида алюминия.