Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Abstract

Способ формирования пленки бинарного полупроводникового соединения групп AIIBVI или AVBVI на поверхности монокристаллической кремниевой пластины, при котором непосредственно в кремниевой пластине формируют буферный слой, представляющий собой слой мезопористого кремния толщиной 0,5-5,0 мкм, и осаждают на него пленку бинарного полупроводникового соединения групп AIIBVI или AIVBVI методом катодного электрохимического осаждения. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сформированный буферный слой дополнительно покрывают методом катодного электрохимического осаждения слоем металла, выбранного из ряда, включающего никель, кобальт, медь, палладий, серебро и их сплавы, толщиной 0,01-0,5 мкм. Способ по п.1, отличающийся тем, что буферный слой мезопористого кремния формируют анодной обработкой кремниевой пластины в водном растворе электролита, содержащем фтороводородную кислоту.