| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Строгова, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Ковалевский, А. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-02-11T08:31:46Z | - |
| dc.date.available | 2021-02-11T08:31:46Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Строгова, А. С. Исследование влияния буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на особенности формирования нанокластеров в структуре Si1_xGex / А. С. Строгова, А. А. Ковалевский // Российские нанотехнологии. – 2019. – № 14 (11-12). – С. 35–43. – DOI: https://doi.org/10.21517/1992-7223-2019-11-12-35-43. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42936 | - |
| dc.description.abstract | Представлены экспериментальные результаты влияния исходного буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на возможность и особенности формирования нанокластеров Si1 – xGex (Si, Ge и SiGe). Предложен механизм формирования кремниевых, германиевых и кремний-германиевых нанокластеров (НК) на буферных слоях аморфного кремния, нитрида кремния и оксидов кремния, диспрозия и иттрия. Показано влияние исходного буферного слоя на поверхности подложек в условиях технологического процесса осаждения пленок наноструктурированного кремния, легированного германием (НСК(Ge)), на конфигурацию, размеры и поверхностную концентрацию НК. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Парк-Медиа | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | нанокластеры | ru_RU |
| dc.subject | квантовые точки | ru_RU |
| dc.title | Исследование влияния буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на особенности формирования нанокластеров в структуре Si1_xGex | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
