Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42942
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorМозалев, А. М.-
dc.contributor.authorПлиговка, А. Н.-
dc.date.accessioned2021-02-11T11:45:34Z-
dc.date.available2021-02-11T11:45:34Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationСпособ изготовления тонкопленочного резистора : пат. 18757 Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01C 17/075 / Мозалев А. М., Плиговка А. Н. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20110172 ; заявл. 30.10.2012 ; опубл. 30.12.2014. – 7 с. : ил.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42942-
dc.description.abstractСпособ изготовления тонкопленочного резистора, в котором на подложку последовательно наносят резистивную пленку тантала толщиной 22 нм, слой алюминия и защитную пленку тантала заданной толщины hзп, формируют маски из указанной защитной пленки по рисунку контактных площадок резистора посредством фотолитографии и травления, затем проводят сквозное пористое электрохимическое анодирование слоя алюминия в 0,4 М водном растворе щавелевой кислоты при температуре 296 К и напряжении формовки 53 B, далее проводят реанодирование резистивной пленки тантала через поры образовавшегося анодного оксида алюминия при анодном напряжении, изменяющемся с заданной постоянной скоростью от нуля до величины E, определяемой в соответствии с математическим выражением: ( ) ) 75 , 54 / f 04 ,0( ) f 06 ,2(e 24, 28 e36 ,35 73,105 k Eρ− ρ− − − = , где k - размерный коэффициент, равный 1 B; ρ - удельное поверхностное сопротивление готового резистора, выбираемое при его проектировании из интервала от 150 до 11420 Ом/□ с учетом задаваемой толщины защитной пленки тантала, связанной с напряжением Е соотношением Ed 64 ,0 hзп > ; f - размерный коэффициент, равный 0,6 □/Ом; d - размерный поправочный коэффициент, равный 1 нм/В, наносят сверху дополнительную пленку тантала, формируют из нее посредством фотолитографии и травления маску по рисунку резистивной области резистора между контактными площадками, а затем термически доокисляют через поры анодного оксида алюминия участки резистивной пленки тантала, не закрытые масками, образованными из защитной и дополнительной пленок, и вскрывают контактные окна готового резистора в масках из термически окисленной защитной пленки тантала.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНациональный центр интеллектуальной собственностиru_RU
dc.subjectпатентыru_RU
dc.subjectтонкопленочные резисторыru_RU
dc.subjectэлектронная техникаru_RU
dc.titleСпособ изготовления тонкопленочного резистораru_RU
dc.title.alternativeПат. 18757 Респ. Беларусьru_RU
dc.typeДругоеru_RU
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
18757.pdf720.09 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.