https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42942
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Мозалев, А. М. | - |
dc.contributor.author | Плиговка, А. Н. | - |
dc.date.accessioned | 2021-02-11T11:45:34Z | - |
dc.date.available | 2021-02-11T11:45:34Z | - |
dc.date.issued | 2014 | - |
dc.identifier.citation | Способ изготовления тонкопленочного резистора : пат. 18757 Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01C 17/075 / Мозалев А. М., Плиговка А. Н. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20110172 ; заявл. 30.10.2012 ; опубл. 30.12.2014. – 7 с. : ил. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42942 | - |
dc.description.abstract | Способ изготовления тонкопленочного резистора, в котором на подложку последовательно наносят резистивную пленку тантала толщиной 22 нм, слой алюминия и защитную пленку тантала заданной толщины hзп, формируют маски из указанной защитной пленки по рисунку контактных площадок резистора посредством фотолитографии и травления, затем проводят сквозное пористое электрохимическое анодирование слоя алюминия в 0,4 М водном растворе щавелевой кислоты при температуре 296 К и напряжении формовки 53 B, далее проводят реанодирование резистивной пленки тантала через поры образовавшегося анодного оксида алюминия при анодном напряжении, изменяющемся с заданной постоянной скоростью от нуля до величины E, определяемой в соответствии с математическим выражением: ( ) ) 75 , 54 / f 04 ,0( ) f 06 ,2(e 24, 28 e36 ,35 73,105 k Eρ− ρ− − − = , где k - размерный коэффициент, равный 1 B; ρ - удельное поверхностное сопротивление готового резистора, выбираемое при его проектировании из интервала от 150 до 11420 Ом/□ с учетом задаваемой толщины защитной пленки тантала, связанной с напряжением Е соотношением Ed 64 ,0 hзп > ; f - размерный коэффициент, равный 0,6 □/Ом; d - размерный поправочный коэффициент, равный 1 нм/В, наносят сверху дополнительную пленку тантала, формируют из нее посредством фотолитографии и травления маску по рисунку резистивной области резистора между контактными площадками, а затем термически доокисляют через поры анодного оксида алюминия участки резистивной пленки тантала, не закрытые масками, образованными из защитной и дополнительной пленок, и вскрывают контактные окна готового резистора в масках из термически окисленной защитной пленки тантала. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Национальный центр интеллектуальной собственности | ru_RU |
dc.subject | патенты | ru_RU |
dc.subject | тонкопленочные резисторы | ru_RU |
dc.subject | электронная техника | ru_RU |
dc.title | Способ изготовления тонкопленочного резистора | ru_RU |
dc.title.alternative | Пат. 18757 Респ. Беларусь | ru_RU |
dc.type | Другое | ru_RU |
Appears in Collections: | Изобретения |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.