https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42949
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Хмыль, А. А. | - |
dc.contributor.author | Емельянов, А. В. | - |
dc.contributor.author | Алиева, Н. В. | - |
dc.contributor.author | Емельянов, В. А. | - |
dc.contributor.author | Трусов, В. Л. | - |
dc.contributor.author | Шикуло, В. Е. | - |
dc.contributor.author | Сенько, С. Ф. | - |
dc.date.accessioned | 2021-02-11T13:38:30Z | - |
dc.date.available | 2021-02-11T13:38:30Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.citation | Конденсатор для интегральной микросхемы : пат. 19535 Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01G 4/33 / Хмыль А. А., Емельянов А. В., Алиева Н. В., Емельянов В. А., Трусов В. Л., Шикуло В. Е., Сенько С. Ф. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20121543 ; заявл. 30.06.2014 ; опубл. 30.10.2015. – 6 с. : ил. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42949 | - |
dc.description.abstract | Конденсатор для интегральной микросхемы, содержащий сформированную на кремниевой подложке с активными элементами диэлектрическую пленку, на которой сформирована нижняя обкладка конденсатора из легированного поликристаллического кремния с расположенным на ней конденсаторным диэлектриком, выполненным в виде последовательно лежащих слоя диоксида кремния, слоя нитрида кремния и слоя оксинитрида кремния толщиной от 1 до 5 нм, а также сформированную на указанном диэлектрике верхнюю обкладку конденсатора, выполненную из легированного поликристаллического кремния, и присоединенные к указанным обкладкам локальные электрические контакты. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Национальный центр интеллектуальной собственности | ru_RU |
dc.subject | патенты | ru_RU |
dc.subject | интегральные микросхемы | ru_RU |
dc.subject | конденсаторы | ru_RU |
dc.title | Конденсатор для интегральной микросхемы | ru_RU |
dc.title.alternative | Пат. 19535 Респ. Беларусь | ru_RU |
dc.type | Другое | ru_RU |
Appears in Collections: | Изобретения |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.