Способ профилирования пластины из монокристаллического кремния

Abstract

Способ профилирования пластины из монокристаллического кремния, в котором на поверхности пластины формируют маску из нитрида кремния с подслоем оксида кремния, далее создают в указанной поверхности локальные области пористого кремния толщиной не менее 100 мкм путем ее анодной обработки в водном растворе электролита, содержащего изопропиловый спирт и 45%-ную фтористоводородную кислоту в количестве от 40 до 60 об. %, при плотности анодного тока от 35 до 120 мА/см 2 и температуре раствора от 1 до 5 °С, а затем создают углубления в поверхности пластины путем удаления из нее сформированных областей пористого кремния.