Способ получения диэлектрического покрытия на подложке из алюминия или сплава на его основе для микроэлектронного модуля

Abstract

1. Способ получения диэлектрического покрытия на подложке из алюминия или сплава на его основе для микроэлектронного модуля, в котором анодируют подложку, выдерживают ее в очищающей жидкости до установления равенства температур подложки и жидкости, осуществляют термообработку в камере, температура в которой превышает температуру кипения жидкости на 200-600 °С, причем время переноса подложки из жидкости в камеру термообработки не превышает 200 с. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве жидкости используют сжиженный газ. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что термообработку проводят в вакууме.