https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42992| Title: | Способ термического вакуумного получения тонкой пленки SNS |
| Other Titles: | Пат. 22464 Респ. Беларусь |
| Authors: | Цырельчук, И. Н. Хорошко, В. В. Башкиров, С. А. Гременок, В. Ф. Иванов, В. А. |
| Keywords: | патенты;полупроводниковпя электроника;тонкие пленки |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | Национальный центр интеллектуальной собственности |
| Citation: | Способ термического вакуумного получения тонкой пленки SNS : пат. 22464 Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01L 31/18 / Цырельчук И. Н., Хорошко В. В., Башкиров С. А., Гременок В. Ф., Иванов В. А. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20170076 ; заявл. 30.10.2018 ; опубл. 30.04.2019. – 3 с. : ил. |
| Abstract: | Способ термического вакуумного получения тонкой пленки SnS, при котором осуществляют напыление испаряемого материала SnS на стеклянную подложку при температуре подложки 300 °С, давлении 10 -6 Торр, расстоянии между испаряемым материалом и подложкой 12 см и переносе паров испаряемого материала к подложке в кварцевой трубке с температурой от 590 до 610 °С в течение от 10 до 30 мин, отличающийся тем, что полученную пленку подвергают дополнительной температурной обработке в откачанной ампуле в вакууме при давлении 10 -6 Торр и температуре от 400 до 430 °С в течение 60 мин. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42992 |
| Appears in Collections: | Изобретения |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.