Формирование и свойства наноструктурированного кремния в матрице из пористого оксида алюминия и интегральные лавинные светодиоды на его основе

Abstract

Кремниевой фотоникой называют синергию (соединение, взаимодействие) двух групп технологий – интегральной электроники и оптики, которая позволяет принципиально изменить систему обработки и передачи данных. Создание кремниевой фотоники позволяет сохранить действие закона Мура, составляющего основу развития информационных технологий. Кремний является основным материалом микроэлектроники, но практически не используется в оптоэлектронике из-за непрямозонного характера его запрещенной зоны. После обнаружения эффективных фото- и электролюминесценций в наноструктурированном кремнии появилась перспектива развития и кремниевой фотоники (оптоэлектроники). Основные трудности формирования кремниевых оптических межсоединений связаны с изготовлением эффективного источника светового сигнала. За последнее время был достигнут прогресс в увеличении эффективности и быстродействия светодиодов на основе кремния, но для их практического использования в качестве источников света необходимо дальнейшее совершенствование их параметров с учетом требований реальных устройств по их эффективности, стабильности и быстродействию. Для улучшения вышеотмеченных параметров светодиодов из наноструктурированного кремния необходимо проведение исследований влияния режимов формирования наноструктурированного кремния на физические явления и процессы при светоизлучении в формируемых наноструктурах. Все вышесказанное определяет актуальность исследований, направленных на формирование наноструктурированного кремния и интегральных светодиодов на его основе.