Технология селективного реактивно-ионного травления нитрида кремния к поликристаллическому кремнию

Abstract

Экспериментально исследовано влияние внешних характеристик разряда на качественные показатели реактивно-ионного травления слоя нитрида кремния и поликристаллического кремния. Установлено, что для газовой смеси (CHF3:Ar:O2) увеличение расхода хладона 23 и аргона приводит к увеличению скорости травления, как нитрида кремния, так и поликристаллического кремния, а увеличение расхода кислорода приводит к снижению селективности травления и угла наклона боковой стенки нитрида кремния. Предложен процесс селективного реактивно-ионного травления нитрида кремния к поликристаллическому кремнию. The influence of external discharge characteristics on the quality parameters of reactiveion etching of a layer of silicon nitride and polycrystalline silicon is experimentally investigated. It is established that for a gas mixture (CHF3:Ar:O2) an increase in the consumption of freon 23 and argon leads to an increase in the etching rate of both silicon nitride and polycrystalline silicon, and an increase in oxygen consumption leads to a decrease in the selectivity of etching and the angle of inclination of the side wall of silicon nitride. The process of selective reactive-ion etching of silicon nitride to polycrystalline silicon is proposed.