| Title: | Влияние легирования вольфрамом на электрофизические характеристики пленок оксида ванадия |
| Other Titles: | Effect of doping with tungsten on the electrophysical characteristics of vanadium oxide films |
| Authors: | То, К. Т. |
| Keywords: | материалы конференций;тонкие пленки;оксид ванадия;вольфрам;thin films;vanadium oxide;tungsten |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | То, К. Т. Влияние легирования вольфрамом на электрофизические характеристики пленок оксида ванадия = Effect of doping with tungsten on the electrophysical characteristics of vanadium oxide films / К. Т. То // Электронные системы и технологии : сборник материалов 57-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 19-23 апреля 2021 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2021. – С. 262–265. |
| Abstract: | Исследованы электрофизические характеристики тонких пленок легированного вольфрамом оксида ванадия. Установлено, что пленки легируемого вольфрамом оксида ванадия имеют более низкое значение удельного сопротивления и широкий диапазон изменения ТКС, чем пленки не легируемого оксида ванадия. In this article, electrophysical characteristics thin films of tungsten-doped vanadium oxide have been investigated. It was found that thin films of tungsten-doped vanadium oxide have lower resistivity value and wider range of TCR variation than thin films of non-doped vanadium oxide. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43508 |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 57-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2021)
|
