Корреляционный анализ в решении задачи поиска информативных параметров транзисторов большой мощности

Abstract

Для индивидуального прогнозирования надёжности мощных полупроводниковых приборов необходимо знать информативные параметры, их поиск выполняют с помощью экспериментальных исследований. Выполненный корреляционный анализ параметров позволил сократить их число и тем самым упростить дальнейшие экспериментальные исследования транзисторов при проведении их ускоренных испытаний на надёжность, а также определить параметры, которые просты в измерении и заметно коррелированы с тепловым сопротивлением кристалл-корпус – параметром, являющимся информативным для полупроводниковых приборов большой мощности, но неудобным для измерения при проведении процедуры прогнозирования надёжности приборов. For individual prediction of the reliability of powerful semiconductor devices, it is necessary to know the informative parameters, their search is carried out using experimental research. The performed correlation analysis of the parameters made it possible to reduce their number and thereby simplify further experimental studies of transistors during their accelerated tests for reliability, to determine the parameters that are easy to measure and significantly correlated with the crystal-case thermal resistance. This parameter is informative for highpower semiconductor devices, but it is inconvenient to measure when performing the procedure for predicting the reliability of powerful semiconductor devices.