| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Казючиц, В. О. | - |
| dc.contributor.author | Шнейдеров, Е. Н. | - |
| dc.contributor.author | Боровиков, С. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-06-03T10:03:22Z | - |
| dc.date.available | 2021-06-03T10:03:22Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Казючиц, В. О. Аналитика и корреляционный анализ в определении информативных параметров мощных полупроводниковых приборов / В. О. Казючиц, Е. Н. Шнейдеров, С. М. Боровиков // BIG DATA and Advanced Analytics = BIG DATA и анализ высокого уровня : сборник научных статей VII Международной научно-практической конференции, Минск, 19-20 мая 2021 года / редкол.: В. А. Богуш [и др.]. – Минск : Бестпринт, 2021. – С. 375–378. | ru_RU |
| dc.identifier.isbn | 978-985-7267-09-5 | - |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43871 | - |
| dc.description.abstract | Для индивидуального прогнозирования надёжности мощных полупроводниковых приборов необходимо знать информативные параметры, их поиск выполняют с помощью экспериментальных исследований. Для транзисторов большой мощности типа КП744А были измерены электрические параметры, которые предположительно могут оказаться информативными. Выполненная аналитика и корреляционный анализ параметров позволили сократить их число и тем самым упростить дальнейшие экспериментальные исследования транзисторов при проведении ускоренных испытаний на надёжность, а также определить параметры, которые просты в измерении и заметно коррелированы с тепловым сопротивлением кристалл-корпус – параметром, являющимся информативным для полупроводниковых приборов большой мощности, но неудобным для измерения при проведении процедуры прогнозирования надёжности приборов в условиях производственных помещений. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Бестпринт | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | корреляционный анализ | ru_RU |
| dc.subject | transistors | ru_RU |
| dc.subject | correlation analysis | ru_RU |
| dc.title | Аналитика и корреляционный анализ в определении информативных параметров мощных полупроводниковых приборов | ru_RU |
| dc.title.alternative | Analytics and correlation analysis in determining informative parameters of powerful semiconductor devices | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | For individual prediction of the reliability of powerful semiconductor devices, it is necessary to know the informative parameters; their search is carried out using experimental studies. For high-power transistors of the KP744A type, electrical parameters were measured, which presumably may turn out to be informative. The performed analytics and correlation analysis of the parameters made it possible to reduce their number and thereby simplify further experimental studies of transistors during accelerated reliability tests. This also made it possible to determine parameters that are easy to measure. | - |
| Appears in Collections: | BIG DATA and Advanced Analytics = BIG DATA и анализ высокого уровня : сборник научных статей (2021)
|
