DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Нгуен, Т. Д. | - |
dc.contributor.author | Занько, А. И. | - |
dc.contributor.author | Голосов, Д. А. | - |
dc.contributor.author | Завадский, С. М. | - |
dc.contributor.author | Мельников, С. Н. | - |
dc.contributor.author | Колос, В. В. | - |
dc.date.accessioned | 2021-06-10T05:40:11Z | - |
dc.date.available | 2021-06-10T05:40:11Z | - |
dc.date.issued | 2021 | - |
dc.identifier.citation | Влияние отжига на структурно-фазовые и электрофизические свойства пленок оксида ванадия / Нгуен Т. Д. [и др.] // Доклады БГУИР. – 2021. – № 19(3). – С. 22–30. – DOI: http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-3-22-30. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/44023 | - |
dc.description.abstract | Целью работы являлось исследование влияния параметров процесса нанесения и
последующего отжига на свойства пленок оксида ванадия VO x , осажденных методом реактивного
магнетронного распыления V мишени в Ar/O 2 смеси газов. Получены зависимости структуры, фазового
состава, температурного коэффициента сопротивления (ТКС), удельного сопротивления , ширины
запрещенной зоны E g пленок от концентрации кислорода в Ar/O 2 смеси газов в процессе нанесения Г O2
и температуры отжига пленок в атмосфере O 2 . Установлено, что после нанесения пленки имеют
аморфную структуру. Процессы кристаллизации наблюдаются при температурах более 275 °С. При этом
формируются поликристаллические пленки с моноклинной, кубической или смешанной
кристаллической решеткой и происходит переход от промежуточного оксида V 4 O 9 к смешанной фазе
VO 2 /VO x /V 2 O 5 и далее к высшему оксиду V 2 O 5 . Характер изменения , ТКС и E g пленок при изменении
температуры отжига имеют сложный характер и во многом определяется Г O2 . Установлено, что с точки
зрения использования VO x пленок в качестве термочувствительных слоев предпочтительными являются
следующие условия нанесения и отжига: пленки наносятся при концентрации кислорода 25 % в Ar/O 2
смеси газов и отжигаются при температуре 250–275 °С в атмосфере кислорода 10 мин. При данных
условиях получены пленки VO x с = (1,0 – 3,0)ꞏ10 –2 Омꞏм, ТКС = 2,05 %/°С и E g = 3,76–3,78 эВ. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
dc.subject | микроболометр | ru_RU |
dc.subject | оксид ванадия | ru_RU |
dc.subject | тонкие пленки | ru_RU |
dc.subject | реактивное магнетронное распыление | ru_RU |
dc.subject | электрофизические свойства | ru_RU |
dc.subject | microbolometer | ru_RU |
dc.subject | vanadium oxide | ru_RU |
dc.subject | thin films | ru_RU |
dc.subject | reactive magnetron sputtering | ru_RU |
dc.subject | electrical properties | ru_RU |
dc.title | Влияние отжига на структурно-фазовые и электрофизические свойства пленок оксида ванадия | ru_RU |
dc.title.alternative | Influence of annealing on structure, phase and electrophysical properties of vanadium oxide films | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
local.description.annotation | The aim of this work was to study the effect of the parameters of deposition process and subsequent
annealing on the properties of vanadium oxide VO x films deposited by the pulsed reactive magnetron sputtering
of a V target in an Ar/O 2 gas mixture. The dependences of the structure, phase, temperature coefficient
of resistance (TCR), resistivity , band gap E g of the films on the oxygen concentration in Ar/O 2 gas mixture
during the deposition Г O2 , and the temperature of annealing in an O 2 atmosphere were obtained. The films were
found to have an amorphous structure after deposition. Crystallization processes are observed at temperatures
above 275 °C. In this case, depending on the temperature, polycrystalline films with a monoclinic, cubic
or mixed crystal lattice are formed and a transition occurs from the intermediate oxide V 4 O 9 to the mixed phase
VO 2 /VO x /V 2 O 5 and then to the higher oxide V 2 O 5 . The character of changes in , TCR and E g of films coming
from the change in the annealing temperature is complex and largely determined by Г O2 . It was established that
with the view of using VO x films as thermosensitive layers, the following conditions of deposition and annealing
would be preferable: films deposited at the oxygen concentration 25 % in Ar/O 2 gas mixture and annealed at
a temperature of 250–275 °C in an O 2 atmosphere for 10 min. Under these conditions VO x films with the
following properties were obtained: = (1.0 – 3.0)ꞏ10 -2 Ohmꞏm, TCR = 2.05 %/°C, and E g = 3.76–3.78 eV. | - |
Appears in Collections: | № 19(3)
|