| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Холяво, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Хомец, А. Л. | - |
| dc.contributor.author | Сафронов, И. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-06-23T08:58:50Z | - |
| dc.date.available | 2021-06-23T08:58:50Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Холяво, И. И. Влияние ориентации и морфологии на решеточную теплопроводность Si/Ge наношнуров сегментного типа / Холяво И. И., Хомец А. Л., Сафронов И. В. // Радиотехника и электроника : сборник тезисов докладов 57-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2021 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск : БГУИР, 2021. – С. 104–105. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/44374 | - |
| dc.description.abstract | В работе проведено исследование влияния ориентации и морфологии наношнуров Si и Ge с диаметром ~ 5 нм на решеточную теплопроводность. Обнаружено, что для наношнуров Si/Ge со структурой сегментного типа возможно достичь коэффициента теплопроводности менее 2 Вт/(м∙К), в то время как значения теплопроводности для наношнуров из чистого Si и Ge составляют 19,1 и 11,4 Вт/(м∙К). | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | наношнуры | ru_RU |
| dc.subject | решетчатая теплопроводность | ru_RU |
| dc.subject | теплопроводность | ru_RU |
| dc.title | Влияние ориентации и морфологии на решеточную теплопроводность Si/Ge наношнуров сегментного типа | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 57-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2021)
|
