Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/44839
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorШиманович, Д. Л.-
dc.contributor.authorБеспрозванный, Е. Д.-
dc.contributor.authorАлясова, Е. Е.-
dc.date.accessioned2021-08-02T07:38:57Z-
dc.date.available2021-08-02T07:38:57Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationШиманович, Д. Л. Исследование технологических приемов улучшения электроизоляционной прочности в переходных отверстиях двухсторонних алюмооксидных оснований для силовых модулей / Шиманович Д. Л., Беспрозванный Е. Д., Алясова Е. Е. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХIX Белорусско-российской научно -технической конференции, Минск, 8 июня 2021 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2021. – С. 101.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/44839-
dc.description.abstractЦелью исследований являлась разработка методов и приемов с применением оптимизированных технологических режимов для улучшения электроизоляционной прочности анодного Al 2 O 3 в переходных отверстиях двухсторонних алюмооксидных оснований для перспективного использования в силовых многокристальных модулях [1], в частности, в области аппаратных средств защиты информации.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectсиловые многокристальные модулиru_RU
dc.subjectэлектроизоляционная прочностьru_RU
dc.titleИсследование технологических приемов улучшения электроизоляционной прочности в переходных отверстиях двухсторонних алюмооксидных оснований для силовых модулейru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:ТСЗИ 2021

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Shimanovich_Issledovaniye.pdf274 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.