| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Лыньков, Л. М. | - |
| dc.contributor.author | Жданович, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Петров, Н. П. | - |
| dc.contributor.author | Прудник, А. М. | - |
| dc.contributor.author | Богуш, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-09-06T09:27:30Z | - |
| dc.date.available | 2021-09-06T09:27:30Z | - |
| dc.date.issued | 1998 | - |
| dc.identifier.citation | Способ обратной литографии : пат. 2428 Респ. Беларусь : МПК H 01L 21/312 / Лыньков Л. М., Жданович С. В., Петров Н. П., Прудник А. М., Богуш В. А. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № 960170 ; заявл. 10.04.1996 ; опубл. 30.09.1998. – 3 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45019 | - |
| dc.description.abstract | Способ обратной литографии, включающий нанесение на подложку пленки алюминия, формирование контактной маски путем селективного травления пленки алюминия, нанесение пленки рабочего материала и удаление контактной маски, отличающийся тем, что перед удалением контактной маски осуществляют импульсную термообработку на воздухе полученной структуры до температуры 500-800°С путем воздействия облучения некогерентным светом интенсивностью 250 - 400 град/с с последующим охлаждением до комнатной температуры, а удаление контактной маски производят химическим путем с использованием УЗ-колебаний. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Национальный центр интеллектуальной собственности | ru_RU |
| dc.subject | патенты | ru_RU |
| dc.subject | обратная литография | ru_RU |
| dc.subject | литография | ru_RU |
| dc.subject | микроэлектроника | ru_RU |
| dc.title | Способ обратной литографии | ru_RU |
| dc.title.alternative | Пат. 2428 Респ. Беларусь | ru_RU |
| dc.type | Другое | ru_RU |
| Appears in Collections: | Изобретения
|
