Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45273
Title: Использование параметров электрического режима биполярных транзисторов в качестве имитационных факторов
Authors: Бересневич, А. И.
Боровиков, С. М.
Keywords: доклады БГУИР;биполярные транзисторы;имитационные факторы
Issue Date: 2005
Publisher: БГУИР
Citation: Бересневич, А. И. Использование параметров электрического режима биполярных транзисторов в качестве имитационных факторов / Бересневич А. И., Боровиков С. М. // Доклады БГУИР. – 2005. – № 5. – С. 83–84.
Abstract: Методом имитационных воздействий можно решать задачи индивидуального прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов. В качестве имитационного фактора обычно используют температуру.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45273
Appears in Collections:№5

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Beresnevish_Ispolzovaniye.pdf186.81 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.