Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45289
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБоровиков, С. М.-
dc.contributor.authorМандик, Н. Е.-
dc.date.accessioned2021-09-14T11:48:28Z-
dc.date.available2021-09-14T11:48:28Z-
dc.date.issued2005-
dc.identifier.citationБоровиков, С. М. Эффективность прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов методом имитационных воздействий / Боровиков С. М., Мандик Н. Е. // Доклады БГУИР. – 2005. – № 5. – С. 85.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45289-
dc.description.abstractДля индивидуального прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов можно использовать метод имитационных воздействий. В него основу положен принцип статистической аналогии между изменениями параметра, обусловленными длительным функционированием транзисторов, и изменениями этого же параметра, вызываемыми действием в начальный момент времени имитационного фактора, не приводящего к уменьшению рабочего ресурса прибора.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectбиполярные транзисторыru_RU
dc.subjectимитационные воздействияru_RU
dc.subjectметоды прогнозированияru_RU
dc.titleЭффективность прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов методом имитационных воздействийru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:№5

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Borovikov_Effektivnost2.pdf165.89 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.